长理、山东华光申请含铟三五族化合物半导体材料干法刻蚀方法专利解决了现有技术中刻蚀含In化合物半导体激光器材料时挥发性InCl

　　国家知识产权局信息显示，长春理工大学、山东华光光电子股份有限公司申请一项名为“一种含铟三五族化合物半导体材料的干法刻蚀方法”的专利，公开号CN121035759A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，一种含铟三五族化合物半导体材料的干法刻蚀方法，涉及半导体激光器工艺技术领域，解决了现有技术中刻蚀含In化合物半导体激光器材料时挥发性InCl。

　　声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。